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能源之星要求持续升级,选择合适的MOSFET事半功倍

[2008-6-6]


“能源之星”对PC和服务器的能源效率要求已越来越高。在50%的负载条件下,能源之星要求今年7月前,PC的能源效率要达到85%,而服务器的能源效率须达到89%;09年7月前,PC的能源效率须达到88%,而服务器的能源效率更是要达到92%;至于2010年时,PC的能源效率也必须达到90%以上。欧洲可以说在节能方面走在世界前列,其它区域正在紧跟。“虽然能源之星没有对基站等通信基础设施进行规范,但是从我们接触的诺基亚来看,其对基站的能源效率要求早已超过90%。”英飞凌(Infineon)汽车、工业及多重市场电源管理高级市场经理Thomas Schmidt对《国际电子商情》表示。 因此,在各种便携电子设备竭力提升效率的同时,大型的电子产品如服务器、基站等也将提升能源效率,降低功耗变成首要的任务。在这里,选择一个最低导通电阻的MOSFET,对提升能源效率可以起到事半功倍的作用。 英飞凌日前推出具有非常低的导通电阻、SuperS08无铅封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET系,号称具有业界最低的导通电阻。其40V系列具备最低1.8毫欧的导通电阻,60V系列具备最低2.8毫欧的导通电阻,80V系列具备最低4.7毫欧的导通电阻,“与最接近的竞争性产品相比,新推出的OptiMOS3系列导通电阻降幅高达50%,为业界树立了新标杆。”Schmidt表示。此外,这些器件的FOM(品质系数,以导通电阻乘以栅极电荷得出)与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%,能够更快速实现开关,同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗,提高功率密度,降低驱动器散热量。SuperSO8封装寄生电感不到0.5nH,比TO-220封装的5-10nH电感低很多,这进一步提升了器件整体效率,最大程度上减少在开关条件下的振荡现象。 “在同步整流应用中,如果用OptiMOS3替代目前市场上普遍采用的肖特基二极管,将可以使得能源效率提升3-5%。针对30V-80V的电压,能源效率提升有所差别。”Schmidt表示。在他表示,目前市场上同步整流方案中,有35%是采用肖特基二极管。“就是与英飞凌的前代产品比,在DC/DC升压方案中其可将能源效率提升1%。”当然,Schmidt也解释,从目前的价格来看,采用MOSFET替代二极管,成本一定会提升,但这是必经之路。 不过,他分析道,半导体市场会遵循这样的原则,先提升性能,然后是降低硅片的成本。OptiMOS3采用了更小型的SS08封装,将功率密度提升50%,同时也会降低每瓦的成本。英飞凌还推出业界领先的采用S3O8封装的60V和80V击穿电压MOSFET,其占位空间与标准SO8或SuperSO8器件相比再减少60%。 OptiMOS 3 40V、60V和80V产品适用于需要高效率和功率密度的功率转换和电源管理应用,包括众多产品的SMPS(开关模式电源)、DC/DC转换器和直流电机驱动器等。这些产品包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备和电动工具、电动剪草机和风扇等消费类电子设备。 但是,Schmidt也指出,MOSFET未来的趋势是针对不同的垂直应用开发有针对性的产品,即ASIC模式的MOSFET。“未来MOSFET供应商之间的竞争,就是看它们所拥有的客户定制化能力以及针对不同应用设计MOSFET产品的能力。”他说道,“未来的MOSFET产品不会是像现在这样,一颗MOSFET适用于所有领域,而是会更加细分化。”

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